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圖像 型號 品牌 描述 單價 封裝 系列 PDF資料
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay 原裝現(xiàn)貨 面議 SOT23 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 規(guī)格 FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss) 30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3.6A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 68 毫歐 @ 2.9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V Vgs(最大值) ±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 320pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.7W(Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型 表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3(TO-236) 封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDF資料
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SCMT22C505 SCMT22C505 AVX 原裝現(xiàn)貨 面議 PDF資料
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